據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾日前表示，今年下半年將向設(shè)備制造商提供新一代相變存儲器樣品。

據(jù)英國媒體報(bào)道，新一代相變存儲器是一種非易失性的存儲器產(chǎn)品，它集DRAM存儲器的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來DRAM和閃存的替代品。

英特爾閃存部門首席技術(shù)官Ed Doller稱：“從理想的角度講，人們需要一種非易失性DRAM產(chǎn)品，而相變存儲器就十分接近于該目標(biāo)。”

Doller還稱，相變存儲器的讀寫速度相當(dāng)于閃存的1000多倍，而能耗只有當(dāng)前閃存的1/2。目前，英特爾正與意法半導(dǎo)體攜手開發(fā)相變存儲器。