2004年：數(shù)字應用推動市場發(fā)展

　　2004年中國半導體存儲器市場規(guī)模仍然保持了高速增長，但是由于價格降低，市場規(guī)模增速由2003年的48.2%降低為26.4%。由于中國消費電子以及移動電話產(chǎn)業(yè)增長速度逐漸放緩，存儲器市場需求也逐漸趨緩，2005年，中國半導體存儲器市場規(guī)模增速將降低為16.2%，銷售額預計達到579.2億元，銷售量預計達到67.7億塊，較2004年增長33.3%。

　　新興應用拉動存儲器市場需求

　　隨著電子產(chǎn)品的功能日益豐富，成本效益佳、功耗低、密度高及外型小的存儲器產(chǎn)品的市場需求日益增加。

　　作為一種非易失性存儲器，F(xiàn)LASH為各種計算機應用、移動及網(wǎng)絡設備帶來了無可比擬的功能和好處。數(shù)碼相機是一種快速增長的消費類電子產(chǎn)品，與標準的計算機用存儲器相比，數(shù)碼相機需要存儲器的體積更小，同時工作電流更低，每臺數(shù)碼相機需要128MB～256MB的存儲容量，而低功耗DDR存儲器則可為數(shù)碼相機廠商提供理想的解決方案。

　　隨著經(jīng)濟情況好轉(zhuǎn)，數(shù)據(jù)網(wǎng)絡技術(shù)也有非凡發(fā)展。網(wǎng)絡傳輸速度不斷加快，網(wǎng)絡處理器對存儲器的性能和密度要求越來越高，以便迅速有效地進行數(shù)據(jù)包處理。目前阻礙網(wǎng)絡處理器性能增長的關(guān)鍵瓶頸在于存儲器的存取速度和密度，因此在下一代交換機和路由器設計中，為實現(xiàn)所需的數(shù)據(jù)傳輸速率、功耗及空間指標，對存儲器的要求就相應地大大提高，特別是在容量、帶寬和每引腳總線效率等幾個方面。

　　手機市場兩種FLASH競爭加劇

　　2004年，隨著NANDFLASH廠商的加入，F(xiàn)LASH廠商之間為了爭奪手機市場而展開了更加激烈的競爭。NORFLASH一直在手機中占有主導地位，目前大部分手機使用NORFLASH實現(xiàn)代碼存儲，同時采用SRAM或者PSRAM作為緩存或工作內(nèi)存，而NANDFLASH廠商提倡把NANDFLASH與SDRAM相結(jié)合。

　　NANDFLASH與NORFLASH相比，優(yōu)點在于NANDFLASH的最大容量可以達到幾個Gb，而NORFLASH的容量只有128Mb，這成為NANDFLASH將在手機市場中替換NORFLASH的重要因素。但是，當用于modem端時，由于NAND不能隨機訪問，所以需要使用大量DRAM，以供遮蔽(shadow)和運行modem指令代碼，這樣就增加了功耗和延長引導時間，另外，NAND在數(shù)據(jù)完整性方面也不如NOR可靠，這些缺點將導致成本上升。

　　業(yè)界專家之所以認為NANDFLASH將替代NORFLASH，還有一個原因是NANDFLASH的單位比特成本加上其缺點導致的額外成本仍低于NORFLASH的單位比特成本。因此，Intel、AMD和Fujitsu等大型NORFLASH廠商面臨壓力，而Samsung、Toshiba和Renesas等NANDFLASH廠商的市場份額則在擴大。


　　數(shù)字消費和便攜式應用是重點

　　2004年，存儲器廠商相應推出適用于數(shù)字消費和便攜式應用的產(chǎn)品，如ElpidaMemory公司推出了系列適用于數(shù)字消費應用的高速DRAM器件；Toshiba將兩片4GbNANDFLASH以TSOP封裝在一起，推出8GbNANDFLASH，使FLASH體積更加小型化，同時為數(shù)字家電開辟了更強勁功能的應用；Renesas開發(fā)出可減少誤碼率的SDRAM存儲單元和沒有軟錯誤的SRAM，比較適于移動應用等。

　　同時，由于服務器對系統(tǒng)性能的高要求，DDR2在服務器應用中將有更大市場，Hynix發(fā)布業(yè)界首款基于1Gb的2GbDDR2RDIMM，采用該產(chǎn)品能為用戶在高密度的DDR2服務器和工作站系統(tǒng)中擴大內(nèi)存容量。

　　2005年：移動通信是主要驅(qū)動力

　　DDR2產(chǎn)品價格將會不斷下降

　　隨著各個DRAM廠商DDR2新產(chǎn)品的不斷推出和Intel的5款支持DDR2芯片組的公布，顯示了半導體廠商對DDR2技術(shù)的明顯擁護，但是，DDR2成為市場主流還需要時日。

　　目前，DDR2產(chǎn)品的價格還很高，這是市場對DDR2產(chǎn)品持懷疑態(tài)度的主要原因。而DDR2產(chǎn)品價格偏高的主要因素有以下幾個方面：首先，因為DDR2器件尺寸的增加，DDR2在每個晶圓上生產(chǎn)出的器件更少，而單個DDR2器件尺寸的增加也造成成本的提高；其次，DDR2采用了成本較高的BGA封裝和速度更快的測試，從而在產(chǎn)品生產(chǎn)和測試階段也增加了成本。

　　DDR2產(chǎn)品的推出和發(fā)展速度，在很大程度上依賴于業(yè)界何時出現(xiàn)數(shù)量可觀而工作穩(wěn)定的平臺?？紤]到現(xiàn)在的狀況，DDR和DDR2產(chǎn)品還必然會在市場上并存很長一段時間。

　　SRAM的成長將平穩(wěn)漸進

　　針對不同的應用市場，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)表現(xiàn)出了兩個很清晰的走向，一個是向高性能通信網(wǎng)絡所需的高速器件發(fā)展，另一個是向低功耗性能演變以適應蓬勃發(fā)展的便攜式應用的需要。

　　2004年，手機等移動終端市場對SRAM的需求約占總需求的50%左右，另有30%左右的SRAM產(chǎn)品被通信市場所消化?？梢哉f，目前移動終端與通信領域仍然是SRAM市場主要的驅(qū)動力。

　　未來SRAM市場的增長將是平穩(wěn)和漸進的。這種特點與其所服務的市場屬性有關(guān)，更重要的一點是傳統(tǒng)的SRAM技術(shù)正在受到其他競爭性的DRAM技術(shù)的沖擊：在高速網(wǎng)絡方面，F(xiàn)CRAM和RLDRAM技術(shù)正在相互競爭中快速成長；在便攜式應用領域，諸如CellularRAM與MobileFCRAM等PSRAM產(chǎn)品也正在逐漸擠壓原先由SRAM獨占的低功耗應用的空間。

　　盡管SRAM在某些方面還有其難以替代的功能特性，但市場對存儲器產(chǎn)品在速度、存儲密度、功耗等方面綜合性的要求將繼續(xù)推進那些SRAM替代技術(shù)的發(fā)展。

　　手機對存儲容量需求將逐漸攀升

　　手機里的存儲器大多使用LPSRAM，因為SRAM比DRAM省電，但是隨著未來手機、PDA等產(chǎn)品的分界線越來越模糊，手機上的功能也越來越多，這將使手機對存儲器容量的需求也逐漸攀升。

　　在容量提升方面有所限制的LPSRAM將逐漸被淘汰。1TSRAM及LPDRAM在容量方面都比LPSRAM高，但就省電方面看，1TSRAM的頻率比LPDRAM低，消耗的電量也比較少，所以1TSRAM相對于LPDRAM在手機上使用的優(yōu)勢又相對較高。除了以1TSRAM或是LPDRAM來取代LPSRAM之外，廠商考慮到節(jié)省空間也會將LPSRAM及NORFLASH以多芯片封裝(MCP)的方式封裝成一個堆棧式內(nèi)存芯片。

　　未來，若是存儲器二線廠商打算進入手機用存儲器市場，最好先與提供手機用FLASH的國際大廠合作，這樣切入手機用存儲器市場的機會比較大。若選擇不與FLASH大廠合作，而采用二線廠商或用自產(chǎn)的FLASH芯片，則建議以低價策略取得與手機廠商合作的機會。

　　多芯片封裝產(chǎn)品將成市場主流

　　全球通信及消費類電子產(chǎn)品應用面不斷擴大，功能也日益進入整合階段，對FLASH、DRAM容量的需求愈來愈高，而多芯片封裝(MCP)技術(shù)可以將FLASH、DRAM等不同規(guī)格的芯片利用系統(tǒng)封裝方式整合成單一芯片，且生產(chǎn)前置時間短、制造成本低，具有低功耗特性、高數(shù)據(jù)傳輸速率等優(yōu)勢，已經(jīng)是便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)設內(nèi)存產(chǎn)品最主要的規(guī)格，另外數(shù)字電視、機頂盒、網(wǎng)絡通信產(chǎn)品等也已經(jīng)開始采用各式MCP產(chǎn)品。

　　預計2005年全球MCP需求量將達到4.2億塊。隨著各種便攜式信息裝置對存儲器特性需求的日益多元化，全球包括Samsung、Hynix、Intel等重量級IC廠商都紛紛看好此市場前景，競相推出相關(guān)產(chǎn)品。