ONFI推出新NAND規(guī)范最高速度可達(dá)200MB/s
開放式NAND閃存接口(ONFI)工作組專門致力于簡化NAND閃存與消費(fèi)電子設(shè)備、計(jì)算平臺及工業(yè)系統(tǒng)的集成。該組織發(fā)布了ONFI 2.1版技術(shù)規(guī)范。這個芯片級標(biāo)準(zhǔn)接口是最新的規(guī)范,延續(xù)了ONFI工作組此前發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn):ONFI 1.0和ONFI 2.0。與之前發(fā)布的版本一樣,ONFI 2.1版規(guī)范提出更簡化的閃存控制器設(shè)計(jì),但是把性能水平提高到新的范圍層次——每秒166兆字節(jié)(MB/s)到200MB/s。展望未來,ONFI工作組還宣布,已著手制訂更新的ONFI 3.0版規(guī)范,速度最高可達(dá)400MB/s。
如今,對于固態(tài)驅(qū)動器等閃存型設(shè)備來說,更快的速度成為關(guān)鍵設(shè)計(jì)因素;在此背景下,尤其是在這些固態(tài)驅(qū)動器所連接的接口采用Serial ATA 6 Gb/s、USB 3.0和第二代PCI Express標(biāo)準(zhǔn)能夠提供更快數(shù)據(jù)率的情況下,ONFI 2.1版規(guī)范響應(yīng)了市場對提高NAND整體性能的需求。
此外,新版技術(shù)規(guī)范認(rèn)識到,消費(fèi)者對上網(wǎng)本(netbook)等低成本消費(fèi)品的需求激增,而且市場要求應(yīng)用低成本、高性能的閃存為這些設(shè)備提供支持的需求也極為迫切,為此,ONFI 2.1在技術(shù)規(guī)范中新加入了Small Data Move命令。有了Small Data Move命令,過去為了在這些低成本內(nèi)存架構(gòu)實(shí)現(xiàn)良好的糾錯功能所必需的昂貴且數(shù)量可觀的內(nèi)部存儲需求就不復(fù)存在了。ONFI 2.1版規(guī)范的其他特色及功能有:
·兼容性。延續(xù)了ONFI一貫堅(jiān)持的向后兼容性,ONFI 2.1版標(biāo)準(zhǔn)與ONFI 2.0、ONFI 1.0以及老式NAND接口兼容。
·交錯讀取性能更優(yōu)。ONFI 2.1版規(guī)范新增對交錯讀取的支持,能延展讀取的管道,尤其是在陣列時間可能更長的多層單元(MLC)架構(gòu)中。
·更完善的糾錯碼通信功能。隨著NAND原始誤碼增多,使用的糾錯碼數(shù)量也不斷增加。ONFI 2.1版規(guī)范支持NAND設(shè)備通過擴(kuò)展糾錯碼信息同時傳送多組糾錯碼參數(shù)。
·更好的功率管理。ONFI 2.1版規(guī)范允許主機(jī)向NAND寫入數(shù)據(jù)時停止時鐘,這樣最高可節(jié)省數(shù)十毫瓦的電量。
·新推出的Change Row Address命令。在多媒體卡(MMC)和SD卡應(yīng)用中,有一些命令支持主機(jī)無限期地寫入數(shù)據(jù)。主機(jī)停止寫入數(shù)據(jù)時,可能位于“頁”(page)的中央,這樣會加重NAND的負(fù)擔(dān)。Change Row Address命令可更改“頁”寫入位置,以避免將不完整的“頁”寫入最后的位置,這樣可以減輕NAND的壓力。
過去六個月里,ONFI工作組與美國電子器件工程聯(lián)合委員會(The Joint Electron Device Engineering Councils,JEDEC)進(jìn)行了富有成效的合作;這是一個側(cè)重于未來NAND標(biāo)準(zhǔn)化的聯(lián)合工作組的工作內(nèi)容之一。歡迎ONFI及JEDEC各成員參與上述工作。ONFI 2.1版規(guī)范已提交給上述聯(lián)合工作組,作為繼續(xù)合作的材料。
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